# TBC-solcellsteknik (TOPCon Back Contact): Fullständig > En detaljerad genomgång av TBC (TOPCon Back Contact / POLO-IBC) solcellsteknik, som täcker dess struktur och fullständiga processflöde ![TBC-solcellsteknik (TOPCon Back Contact): Fullständig](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260712/b328022a0ca3c179e39311d2ccf4fb5d.webp) - ** 2026-07-12 - ** 438 visningar - ** [Blogg](./Blog.html) ## TBC-solcellsteknik (TOPCon Back Contact): Fullständig **Snabbt svar:** TBC, eller TOPCon back contact, är en back-contact-cell som använder en TOPCon-passiverande kontakt på baksidan i stället för en heterojunction-kontakt. Den ingår i en bredare vägsekvens där industrin rör sig från enhetliga baksidor mot regionalt differentierade bakre arkitekturer, där en annan kontakttyp tilldelas varje område på baksidan. För en tillverkare är betydelsen av TBC processkompatibilitet: eftersom den bygger på TOPCon-processsteg som linjerna redan kör, är det den back-contact-variant som kostar minst att införa från en installerad TOPCon-bas. Mät- och karakteriseringsarbetet som ingår — verktyg för laddningsbärarlivstid som WCT-120-klassen — blir viktigare med TBC än med en front-contact-cell, eftersom baksidans mönster är där passiveringskvaliteten faktiskt avgör verkningsgraden. Inspektion av baksidan blir också ett verktyg för utbyte snarare än en kvalitetskontroll. PV-modultillverkning · av Jerry, Ooitech ## Tekniköversikt Var TBC befinner sig i den bredare ruttsekvensen, och varför processkompatibilitet nu är viktigare än struktur, behandlas i [BC-cellteknikens färdplan: från struktur till process](https://www.ooitech.com/bc-cell-technology-roadmap-structure-to-process.html). Innehållet nedan delas endast för referens. Om det finns något tekniskt intrång eller felaktig vägledning, kontakta gärna författaren för borttagning eller korrigering. ### Vad är en TBC-cell? TBC står för [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) Back Contact. Det förenar TOPCon-passivering (tunneloxid plus polysilikon) med IBC:s interdigiterade backkontaktstruktur, så det kallas också en POLO-IBC-cell. Det djupt integrerar TOPCon:s tunneloxid/poly-Si-passivering med IBC:s bakkontaktlayout. Det ger dig den starka bakpassiveringen från TOPCon plus IBC-fördelen med ingen skuggning från främre gridlines, med all ströminsamling flyttad till baksidan. Resultatet är högre öppen kretsspänning och högre kortslutningsström. Det är en av de vanligaste N-typ högverkningsgradsvägarna för nästa generation. ### Kärnfördelar - Inga främre metallgridlines, så skuggningsförlusten framtill tas bort och Isc ökar - TOPCon-tunnelpassivering minskar bakrekombination och höjer Voc - Den interdigiterade P/N-bakkontaktlayouten optimerar bärarinsamlingsvägen och minskar serieresistansen - Jämfört med standard TOPCon och standard IBC balanserar det passiveringskvalitet och strukturell integration - Kompatibel med de flesta kärnutrustningar på befintliga N-typ-linjer, så processen kan uppgraderas steg för steg ### Hur det jämförs med konventionella celler - Standard TOPCon: främre gridline-skuggning, full-area TOPCon-passivering på baksidan - Standard IBC: bakkontaktstruktur, men passivering förlitar sig på kiseloxid/kiselnitrid, ingen tunnel-poly-Si-passivering - TBC (POLO-IBC): IBC-bakkontaktstruktur plus integrerad TOPCon-tunnelpassivering, så både struktur och passivering är optimerade ## Översikt över komplett processflöde Wafer inkommande → förrengöring / borttagning av sågskador → bakre tunneloxid + poly-Si-deponering (LPCVD) → bakre SiN-maskdeponering → första bakre laseröppning (borområde) → bordopning (p-poly) → andra bakre laseröppning (fosforområde) → fosfordopning (n-poly) → rengöring för att avlägsna wrap-around-diffusion / BSG / PSG → deponering av bakre passiveringsfilm → vaxmasktryckning för att skydda baksidan → fronttexturering + P/N-isoleringetsning → deponering av front- och bakre SiN-antireflexpassiveringsfilm → screentryckning av bakre metallelektrod → bränning → elektriskt test → sortering och packning ## Detaljerade processpecifikationer ### 3.1 Rengöring och polering (förrengöring + borttagning av sågskador) Syfte: avlägsna sågskadelagret, metallytoreningar, partiklar och olja; polera vafere enkelsidigt eller dubbelsidigt för att få en ren, plan kiselyta och hålla den senare tunneloxiddeponeringen jämn. Huvudutrustning: inline våtrengörings- och poleringslinje, alkalisk poleringstank, syrareningslinje. Viktiga kemikalier: stark alkali (NaOH/KOH), HF, HCl, IPA, textureringsadditiv, ytaktivt medel. Viktiga övervakningspunkter: - Poleringsviktminskning: elektronisk våg - Ytreflektans: reflektansmätare - Minoritetsbärarlivslängd iVoc: WCT-120 transient livslängdsmätare - Bärarrekombinationsavbildning: PL-mätare (R3-PL) - Ytjämnhet och renhet: optiskt mikroskop Kvalitetskontroll: sågskador helt avlägsnade, inga fläckar eller steg på ytan, jämn viktminskning, ingen tydlig livslängdsminskning. ### 3.2 Tunneloxid + poly-Si-deponering Syfte: odla en ultratunn tunneloxid (SiO₂) och sedan ett intrinsiskt poly-Si-lager på vafere baksida, vilket bildar den centrala TOPCon-passiveringsstrukturen för stark fält- och kemisk passivering och låg bakre rekombination. Huvudutrustning: rör-LPCVD. Gaskällor: SiH₄, O₂, N₂ (bärgas / spolgas). Viktiga punkter: - Poly-Si-tjocklek: poly-tjockleksmätare, ellipsometer - Tunneloxidtjocklek: ECV, ellipsometer - iVoc (WCT-120) - PL-jämnhet - Skiktresistans (intrinsisk poly-övervakning före dopning) Kvalitetskontroll: oxid ultratunn och enhetlig, poly-Si tät och utan pinholes, god tjocklekskonsistens över vafeln. ### 3.3 Bakre SiN-maskdeponering Syfte: deponera ett tätt kiselnitridlager (SiNₓ) på det intrinsiska poly-Si som blockerande mask för senare laseröppning och dopningssteg, vilket möjliggör selektiva dopningszoner. Huvudutrustning: PECVD. Gaskällor: SiH₄, NH₃, N₂. Nyckelparametrar: SiN-tjocklek (spektroskopisk ellipsometer), brytningsindex och enhetlighet, iVoc, PL-enhetlighet. Kvalitetskontroll: tät mask, inga pinholes, enhetlig tjocklek för att garantera dopningsisolering. ### 3.4 Första bakre laseröppning (borondiffusionsfönster) Syfte: selektivt avlägsna SiN-masken över borondiffusionsområdet genom lokal laserablation medan det underliggande intrinsiska poly-Si behålls, vilket öppnar fönstret för senare p-typ poly. Huvudutrustning: fiber-/nanosekund- eller pikosekundlaseröppningssystem, högprecisionslasermönstringsverktyg. Processjustering: justera lasereffekt, repetitionsfrekvens, skanningshastighet och punktöverlapp så att endast den övre SiN-masken avlägsnas och det underliggande intrinsiska poly-Si inte skadas, vilket bevarar passiveringsbasen intakt. Nyckelkarakterisering: optisk mikroskopkontroll av spårform, kantintegritet och om poly-lagret är bränt. ### 3.5 Bakre bordopning (p-poly) Syfte: bordopna det intrinsiska poly-Si i det öppnade området för att omvandla det till p-typ kraftigt dopad poly (p-poly), samtidigt som BSG bildas på ytan. BSG fungerar senare som naturlig blockerande mask för fosfordiffusion. Huvudutrustning: rörformig bordiffusionsugn. Processmedium: flytande källa BBr₃; omgivning O₂, N₂. Nyckelkarakterisering: skiktresistans i p-zon, dopningsenhetlighet, BSG-täckningsintegritet, PL-dopningsenhetlighet. Kvalitetskontroll: tillräcklig bordopning, enhetlig skiktresistans, kontinuerlig och komplett BSG utan lokala luckor. ### 3.6 Andra bakre laseröppning (fosfordiffusionsfönster) Syfte: avlägsna den återstående SiN-masken för att exponera det odopade intrinsiska poly-Si som n-typ fosfordopningszon, samtidigt som det redan bildade BSG-lagret hålls intakt från laserskador. Huvudutrustning: lasermönstrings-/öppningssystem. Processfokus: precis laserenergikontroll för att undvika att slå igenom BSG-skiktet, vilket ger en ren isolationsgräns mellan P- och N-zoner. ### 3.7 Bakre fosfordopning (n-poly) Syfte: fosfordiffundera det andra fönstrets intrinsiska poly-Si för att bilda n-dopat kraftigt poly (n-poly). BSG som bildades i föregående steg fungerar som en självjusterande mask, vilket blockerar fosfor från att diffundera in i p-poly-området och uppnår självisolering av P/N-zonerna. Huvudutrustning: rörformig fosfordiffusionsugn. Processmedia: flytande källa POCl₃; omgivning O₂, N₂. Nyckelprincip: den kvarvarande BSG fungerar som en naturlig diffusionsbarriär och stoppar fosforkontaminering av p-poly-området. Efter fosfordiffusion omvandlas BSG delvis till en bor-fosfor-blandoxid, vilket ytterligare stärker isoleringen. Nyckelkarakterisering: n-zons skikttålighet, P/N-gränsisolering, övervakning av läckagetrend. ### 3.8 Rengöring för att avlägsna omslutande diffusion (BSG/PSG-borttagning) Syfte: kemiskt avlägsna all BSG, PSG och ytrester, samt avlägsna kantens omslutande och sidodopningsskikt för att undvika kantläckage. Huvudutrustning: inline våtrengöringslinje. Nyckelkemikalier: huvudsakligen HF, plus sura tillsatser och ett buffrat syrasystem. Processhjälpmedel: ren torrluftavblåsning, varmluftstorkning. Kvalitetskontroll: oxidglas helt borttaget, ren yta utan rester, ingen omslutande rest vid kanterna. ### 3.9 Bakre SiN-passiveringsskyddsfilmsdeponering Syfte: deponera en SiN-passiveringsskyddsfilm på den bakre interdigiterade P/N-poly-strukturen för att passivera och skydda bakkontaktområdet och blockera kemisk attack i senare steg. Huvudutrustning: PECVD. Gaskällor: SiH₄, NH₃, N₂. Karakterisering: SiN-tjocklek, brytningsindex, filmuniformitet. ### 3.10 Bakre vaxmaskbeläggning (skyddsmask) Syfte: fullständigt belägga baksidan med ett vaxskyddsskikt genom screentryck för att skydda den bildade P/N-bakkontaktstrukturen och SiN-filmen, vilket förhindrar att den senare frontetsningen attackerar de bakre funktionella skikten. Huvudutrustning: screentryckare (vaxutskriftsstation). Kontrollfokus: fullständig vaxutskrift, inget hopp över utskrift, inga nålar, bra kantförsegling så att baksidan förblir skyddad genom hela processen. ### 3.11 Front kemisk etsning + vaxavdragning och rengöring Syfte: 1. Avlägsna överflödig dopning och skadade lager på våfflans framsida 2. Texturera framsidan för att bilda en pyramidyta och minska framsidans reflektion 3. Uppnå kantisolering mellan bakre P- och N-zoner genom lateral etsning för att minska kantläckage 4. Slutligen avlägsna den bakre vaxmasken för att exponera den kompletta bakkontaktstrukturen Huvudutrustning: dubbelsidig inline våtetsnings- och textureringslinje. Nyckelkemikalier: stark alkali (NaOH), HF, textureringsadditiv, buffrad etsningslösning. Gaskällor: ren tryckluft, N₂-avblåsning. Kvalitetskontroll: jämn fronttexturering, godkänd pyramidmorfologi, korrekt P/N-isolering, inga läckagevägar, ren vaxavdragning utan rester. ### 3.12 Främre och bakre SiN-antireflexionspassiveringsfilm Syfte: deponera en SiN-antireflexionspassiveringsfilm på framsidan för både antireflexion och ytpassivering; lägga till och optimera den bakre passiveringsfilmen för att ytterligare förbättra passivering och tillförlitlighet. Huvudutrustning: PECVD. Gaskällor: SiH₄, NH₃, N₂. Karakterisering: filmtjocklek på fram- och baksida, brytningsindex, minoritetsbärarlivslängd, reflektans. ### 3.13 Bakre elektrod screentryck och bränning Syfte: trycka silver-aluminiumelektroder på den bakre P-zonen och silverelektroder på den n-typ polyzonen för att bilda de interdigiterade bakkontaktens positiva och negativa elektroder, och sedan använda högtemperaturbränning för att bilda ohmsk kontakt mellan metallen och den dopade poly-Si. Huvudutrustning: dedikerad bakkontakt screentryckare, inline-bränningsugn. Nyckelsteg: bakre elektrodmönsterjustering tryckning → torkning → högtemperaturbränning (bildar ohmsk kontakt). ### 3.14 Slutinspektion och sortering Processinnehåll: EL-inspektion (defekter, mikrosprickor, läckage), IV-elektriskt test (Voc, Isc, FF, Eff), utseendeinspektion, gradering och sortering, packning och lagerhållning. Inspektionsutrustning: EL-testare, IV-testare, utseendeinspektionsstation. ## Viktiga utmaningar och vad man bör fokusera på Vilka är de svåra delarna av TBC-tekniken, och var bör uppmärksamheten riktas? - Att kontrollera tjockleksuniformiteten hos den ultratunna tunneloxiden är svårt - De två laseröppningsstegen kräver extremt hög inriktningsnoggrannhet - Att hålla BSG:s självjusterande mask intakt är kärnan i processen - Den interdigiterade isoleringsetsningen för P/N är benägen att orsaka kantläckage - Bakkontaktselektrodtryckning kräver högre inriktningsnoggrannhet än konventionella celler - Att hantera minskningen av minoritetsbärarlivslängden genom hela flödet är svårt ### Viktiga SPC-parametrar att bevaka - Tunneloxidtjocklek och poly-Si-tjocklek - Laseröppningsmorfologi och inriktningsavvikelse för båda stegen - Skiktresistansuniformitet för bor- och fosfordiffusion - iVoc och PL-minoritetsbärarlivslängd följs genom hela flödet - Frontreflektans och textureringsmorfologi - EL-mikrosprickor, läckage och kantisoleringsstatus ## Ooitechs syn TBC lever eller dör på detaljerna, och BSG:s självjusterande mask är den tysta hjälten här eftersom den låter fosfor- och borzonerna sortera sig själva utan ett tredje masksteg. Det vi bevakar mest på modullinjer är hur dessa hög-Voc-bakkontaktceller beter sig nedströms i stringning och laminering, eftersom deras helt bakre metallisering förändrar interconnectionspelet. Om du vill se riktiga N-typ-modullinjer i drift, vår YouTube-kanal [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) har fabriksfilmer värda en titt. --- ##### Taggar: ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Begär en offert Alla uppladdningar är säkra och konfidentiella. ## Vi levererar expertis du kan lita på vår tjänst Utrustning direkt från fabriken. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Kostnadseffektiva fördelar Vi levererar exceptionellt värde, maximerar resultat samtidigt som vi optimerar budgetar för kunder. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Vårt erfarna team Våra skickliga yrkesverksamma specialiserar sig på innovativa lösningar och skräddarsydda strategier. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### 15+ års branscherfarenhet Djup expertis säkerställer pålitliga, trendmedvetna och beprövade resultat för framgång. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Vad vår kund säger om oss Kundomdömen berömmer vår djupa förståelse för deras utmaningar, vilket leder till innovativa lösningar och stark avkastning på investeringen. Långsiktiga samarbeten – vissa över ett decennium – visar deras förtroende och tillfredsställelse. Deras framgångshistorier driver oss att ständigt överträffa förväntningarna. [Läs mer **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Tack till Ooitech för att de tillhandahåller mycket lämplig BC-solcellsexperimentutrustning. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Tack vare Ooitech för att de tillhandahåller den helautomatiska produktionsutrustningen – er installation och eftermarknadsservice har varit utmärkt. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Tack igen så mycket för den mycket stora hjälpen med att förbättra och fixa fabriken och även lära arbetarna hur man använder maskinerna ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Filippinerna ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) En man med en stor själ. Tack så mycket för ditt besök, herr Wu. Tack så mycket för tjänsterna som tillhandahållits vid installation av utrustning och utbildning av mina studenter. Den vänligaste personen och professionell inom sitt område ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Jizzakh Polytechnic Institute ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Tack för ooitechs professionella support och service i tid efteråt. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra från Afrika ## Våra senaste produkter ![Solcellsläggningsmaskin WS-CL80D: 48 s cykeltid, ±0,1 mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp) - [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) - [** 12336](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) ### Solcellsläggningsmaskin WS-CL80D: 48 s cykeltid, ±0,1 mm Ooitech WS-CL80D Automatisk layup-maskin för solceller har dubbla gantry med dubbla gripdon för oberoende drift, linjärmotordriven huvudaxel med 0,01 mm ![Automatisk BIPV-laminator med enkelt lager och dubbla kammare](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63274](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### Automatisk BIPV-laminator med enkelt lager och dubbla kammare Ooitech OTCY-2754DD Enkellager Dubbelkammare Automatisk BIPV-laminator har 2700x5400mm dubbla lamineringsområden, övre och nedre dubbel uppvärmning ![Solpanelstätningsmedel och tejp — silikon, butyl, busbar](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032711586064.jpg.webp) - [** Rachael](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) - [** 73088](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) ### Solpanelstätningsmedel och tejp — silikon, butyl, busbar Solpanelstätningsmedel och tejp för modulmontering: silikonramtätningsmedel, butyltejp och isoleringstejp för busbar, UV-beständig för 25 års utomhusexponering. ![KS-01C Kopplingsdosa Svetsmaskin: 16s Cykel](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92407](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### KS-01C Kopplingsdosa Svetsmaskin: 16s Cykel Ooitech KS-01C kopplingsdosvetsmaskin har automatisk hot bar tennsvetsning och högfrekvenssvetsning med CCD-positioneringsnoggrannhet på ±0.1mm. ![OPT-S110H Offline String EL-testare: ≤2s, 4,6MP](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350940561245.webp) - [** Rachael](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) - [** 88272](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) ### OPT-S110H Offline String EL-testare: ≤2s, 4,6MP OPT-S110H Offline String EL Tester från Ooitech levererar höghastighets-elektroluminescensinspektion för solcellssträngar upp till 1250mm. ![Icke-förstörande laserkapningsmaskin för solceller](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774252043927784.webp) - [** ooitech](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) - [** 47287](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) ### Icke-förstörande laserkapningsmaskin för solceller Professionell icke-förstörande laserkapningsmaskin GYM-HP8000 för solceller med TCS-teknik, uppnår 7600 st/h kapacitet, 0,03 % brottfrekvens