# Laserskurna kanter i TOPCon: Passivering av tvärsnittet > En laserskärning lämnar bart kisel på båda väggarna i en fyrskuren cell. Att belägga den väggen med en tunneloxid och dopad poly-Si gör den till en kontakt. ![Laserskurna kanter i TOPCon: Passivering av tvärsnittet](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20261016/2026101624242424.webp) - ** Ooitech Redaktionella team - ** 2026-10-24 - ** 0 visningar - ** [Blogg](./Blog.html) ## Laserskurna kanter i TOPCon: Passivering av tvärsnittet **Snabbt svar:** Att skära en cell i fjärdedelar delar den längs ett laserspår, och det spåret lämnar bart kisel på båda väggarna. Det publicerade tillvägagångssättet är att odla en tunn tunneloxid på väggen, deponera n⁺-dopad poly-Si ovanpå och täcka poly-Si med AlOₓ, så att den skurna ytan beter sig som en selektiv kontakt i stället för ett rekombinationscentrum. Varje tillagt steg är lågtempererat, vilket är det som gör det intressant för en linje som redan kör LPCVD. Fyrskurna och flerskurna celler är nu normal produktion, och orsaken är aritmetik: att dela en cell i fyra sänker strömmen varje ribbon bär, förkortar vägen över fingrarna och minskar resistiva förluster i sammankopplingen. Vinsten är verklig och det är därför [fyrskurna TOPCon-celler](https://www.ooitech.com/topcon-four-cut-cells-how-cutting-a-cell-into-four-increases-power-output.html) blev standard innan någon argumenterade om kostnaden. Kostnaden ligger på själva snittet. Ett laserspår separerar fjärdedelarna, och väggen det öppnar är kisel som aldrig har haft ett passiveringsskikt på sig. Yttillstånd där ligger i mitten av bandgapet, och laddningsbärare som når väggen rekombinerar. Det är en spänningsförlust, inte en skuggningsförlust, och den syns inte i någon mätning som görs före skärsteget. Tillvägagångssättet som beskrivs nedan slutar behandla den väggen som skada att minimera och behandlar den som en yta att belägga. Det är samma selektiv-kontakt-idé som TOPCon redan använder på waferns yta, tillämpad på en yta som skärningen skapade några processteg tidigare. ## Den skurna kanten är en yta, och det är den sämsta på cellen Varje annan kiselyta i en färdig modul har gått igenom hela passiveringssekvensen: texturering, rengöring, ett dielektriskt stack, ibland ett dopat lager under det. Spårväggen får inget av det. Den skapas efter att frontjunkionen bildats och efter att det bakre stacket deponerats, så det lasern lämnar efter sig är råmaterialet. Siffrorna som vanligtvis anges för den typen av yta är nedslående. Gränssnittstillståndstätheter runt 1 × 1012 cm−2 eV−1 och en ytrekombinationshastighet över 500 cm/s, båda rapporterade för det oskurna fallet i källan som den här artikeln bygger på. Mot en passiverad yta uppmätt i ensiffriga cm/s rekombinerar en obehandlad skuren kant ungefär två storleksordningar snabbare. Det som gör det betydelsefullt är inte arean. Ett tvärspår är 30 µm brett och cirka 1,5 µm djupt, och att skära en M10-cell i fyra öppnar ungefär en kvadratmillimeter vägg mot de 33 000 mm2 av waferns yta. Det är snarare att laddningsbärare som genereras inom en diffusionslängd från snittet kan nå det, och väggen löper cellens hela längd i båda riktningarna. Det är linjelängden som förlusten skalar med, och tvärmönstret lägger en lång linje genom mitten av varje fjärdedel. Det är också därför förlusten beter sig som ett spänningsproblem. Rekombination vid kanten tar bort laddningsbärare från bulken, och öppen kretsspänning svarar på den totala rekombinationshastigheten över cellen. Fyllfaktorn rör sig också. Skuggning skulle synas i ström; detta syns i Voc och FF, vilket är ett mindre uppenbart ställe att titta på när en skärprocess kvalificeras. ## Vad beläggningen faktiskt är Den publicerade strukturen lägger tre lager på den skurna väggen, i en specifik ordning. Utifrån kislet och utåt: en mycket tunn kiseldioxid som laddningsbärare kan tunnla igenom, ett kraftigt dopat polysilikonlager som leder bort dem, och ett aluminiumoxidtäckskikt som fullbordar den kemiska passiveringen av gränssnittet. | Lager på den skurna väggen | Tjocklek | Vad det gör | | --- | --- | --- | | Tunneloxid, SiO2 | cirka 1–1,2 nm | Tunn nog för att laddningsbärare ska kunna tunnla igenom, tjock nog att hålla metallen och det dopade lagret borta från kiselytan | | Dopat poly-Si | 80–120 nm | Leder de insamlade laddningsbärarna i sidled och ställer in arbetsfunktionen som gör kontakten selektiv | | AlOx täckskikt | cirka 10 nm | Kemisk passivering av de återstående gränssnittstillstånden, plus en barriär mot kontaminering | Två detaljer skiljer detta från att helt enkelt odla en oxid igen. För det första är stacket inte bara ett dielektrikum; det innehåller en dopad halvledare, så det kan också leda. En ren oxid skulle passivera väggen och lämna den elektriskt död, vilket är bra för en yta som inte samlar något, men väggen här sitter mellan två kvartsceller som båda behöver flytta ström. För det andra spelar tjocklekarna roll på ett sätt de inte gör på en plan wafer. Poly-Si måste vara tjockt nog att förbli kontinuerligt över ett 1,5 µm djupt spår med rundad botten. Det måste också vara tunt nog att dess egen spänning inte spricker eller flagnar det från väggen. Källan anger 120 nm för poly-Si i struktur beskrivningen och 80 nm i processsekvensen, och noterar att 80 nm räcker för fältpassiveringseffekten. Den skillnaden är värd att notera snarare än att släta över: den antyder att lagertjockleken är justerbar inom processfönstret, inte ett fast mål, och att båda värdena ligger inom det intervall författarna anser fungera. ## Varför en tunn oxid och ett dopat lager filtrerar laddningsbärare Mekanismen är bandteknik snarare än kemi, och det är samma mekanism som gjorde TOPCon konkurrenskraftigt från början. På den bara väggen är gränssnittstillstånden fördelade över bandgapet. En elektron som når ett av dessa tillstånd har någonstans att sitta, och ett hål som anländer till samma tillstånd sluter kretsen: de två rekombinerar, och paret är förlorat. När oxiden och den dopade poly-Si är på plats är bandstrukturen vid gränssnittet inte längre platt. Den tunna oxiden blockerar den direkta vägen mellan kisel och det dopade lagret samtidigt som den förblir tillräckligt tunn för att elektroner ska kunna tunnla igenom den. Laddningen i det dopade lagret böjer banden i kislet strax under gränssnittet, vilket är det som skapar asymmetrin: en laddningsbärartyp ser en låg barriär och passerar, den andra ser en hög barriär och vänder tillbaka. Det rapporterade resultatet är en minskning av ytrekombinationshastigheten vid den skurna kanten från cirka 500 cm/s till under 10 cm/s, en förändring på ungefär 98%. Det är en stor siffra, och den är stor av en enkel anledning: utgångspunkten är en opassiverad yta, vilket ligger nära det värsta fallet som finns. Att förbättra en passiverad yta med samma faktor skulle inte vara möjligt. Det är värt att vara precis om vad beläggningen inte gör. Den tar inte bort spåret, återställer inte det kisel som lasern abladerade och gör inte väggen optiskt användbar. Kvartscellen är fortfarande smalare. Påståendet är snävare än så: den skurna ytan slutar fungera som en plats där laddningsbärare dör och börjar fungera som en plats där de kan samlas upp. ## Var processtegen hamnar Den väg som publicerats med denna struktur är en normal TOPCon-sekvens med ett inskott: efter att lasern har skurit tvärspåret oxideras väggen och återdopas innan cellnivåns passiveringsstack deponeras. Allt annat förblir där det var. | Steg | Publicerat villkor | Varför det är satt så | | --- | --- | --- | | Lasertvärspårning | 30 µm bred, 1,5 µm djup | Tillräckligt djup för att separera kvartscellerna rent, tillräckligt grund för att begränsa väggytan och den mekaniska skadan runt den | | Ozonoxidation | 90 °C, 30 s, cirka 1 nm | Växer en jämn oxid utan den termiska budget som skulle störa den junction som redan finns i wafersen | | LPCVD-poly-Si | 80 nm, dopad in situ | Dopning under deponering undviker ett separat diffusionssteg och ger en kontrollerbar koncentrationsgradient genom lagret | | Aktiveringsglödgning | 750 °C, 20 min | Aktiverar dopanten och kristalliserar lagret, vilket är det som gör det till en ledare snarare än en dielektrikum | | Spårrundning | 2 s TMAH efter spårning | Trubbar av de skarpa spårhörnen där sprickor och beläggningsdiskontinuiteter uppstår | | Kristallinitetskontroll | Raman, över 80% | Ett ofullständigt kristalliserat lager passiverar dåligt och leder sämre, så det behandlas som en mätbar utdata | TMAH-rundningen och kristallinitetskontrollen är de två detaljerna som får detta att se ut som en produktionsväg snarare än en laboratoriedemonstration. Ett 1,5 µm spår har ett hörn, och hörn är där deponerade filmer blir tunna och där spänning koncentreras. Att runda hörnet i två sekunder kostar nästan ingenting och tar bort en typ av fel som annars skulle dyka upp senare, vid termisk cykling eller hantering. För en linje är det intressanta att inget av de tillagda stegen behöver ett nytt verktyg. Oxidation, deponering och glödgning passar alla inom den LPCVD-kapacitet en TOPCon-linje redan har, och de två tillagda stegen är lågtemperatur, så den färdiga cellens termiska budget störs inte. Källan rapporterar en linjetaktsförlust under 3%, vilket är siffran att kontrollera först när ett nytt steg föreslås: ett steg som förbättrar verkningsgraden med en halv punkt men kostar 10% av genomströmningen är ett annat förslag än ett som kostar 3%. Sekvensens backend ändras också, och inte på grund av beläggningen. En fyrdelad cell som behåller sin 12BB-layout måste strängas från kvartsceller, och den skurna kanten är nu en yta som stringern hanterar. Placeringsstolerans, kraften som ribbonen utövar vid fogen och mängden värme cellen utsätts för under lödning verkar alla på en bit vars kant har ett 30 µm spår genom sig. Det är där [fine-wire tabbing och stringing](https://www.ooitech.com/am050fh-mbb-pv-cell-soldering-stringer-fully-automatic-solar-cell-tabber-stringer-machine-ooitech.html) -utrustning och [bussningssteget](https://www.ooitech.com/automatic-bussing-machine-dh200-y-solar-panel-busbar-soldering-equipment-ooitech.html) möter celldesignen, och det är den delen av flödet som beläggningen inte adresserar. ## Vad den rapporterade jämförelsen visar Källan trycker en före-och-efter-jämförelse för en standardfyrdelad cell och samma cell med den belagda kanten. Tabellen nedan återger den. Dessa är siffrorna som publicerats med vägen; de kommer från en källa, och vi har inte verifierat dem oberoende. | Parameter | Standard fyrdelad | Med passiverad kant | Förändring | | --- | --- | --- | --- | | Kant-SRV (cm/s) | 500 | under 10 | −98% | | Tomgångsspänning (mV) | 736 | 744 | +8 mV | | Kortslutningsström (mA/cm2) | 40.8 | 41.0 | +0.2 | | Fyllfaktor (%) | 84.0 | 84.5 | +0.5 | | Cellverkningsgrad (%) | 25.3 | 25.8 | +0,5 absolut | | Bifacialitet (%) | 85 | 90 | +5 punkter | Läs mönstret snarare än de enskilda värdena. Spänningsvinsten är större än strömvinsten, vilket är vad mekanismen förutsäger: rekombination vid en yta kostar spänning först. Fyllfaktorn rör sig något, vilket stämmer med en liten minskning av den andel av ytan som är elektroniskt död. Verkningsgraden följer spänningen, och 0,5 punkter absolut är huvudpåståendet. Bifacialitetssiffran förtjänar mer försiktighet än resten. Att gå från 85% till 90% är ett hopp på fem punkter orsakat av en förändring på en yta som utgör en liten del av cellens baksida, och källan förklarar inte mekanismen. Det skulle kunna vara verkligt om den skurna kanten tidigare var en lokal shuntväg på baksidan, men det är också den typ av siffra som ett enda litet prov kan producera. Behandla den som den minst underbyggda raden i tabellen. ## Vad som ännu inte är avgjort Fyra saker saknas i det publicerade fallet, och alla fyra spelar roll innan en linje binder upp sig. - **Tillförlitlighetsdata för den belagda kanten.** Ett 1 nm oxidlager och ett 10 nm aluminiumoxidlock på en spårvägg utsätts för samma fuktiga värme, termiska cykling och mekaniska belastning som resten av cellen. En skuren kant är också en spänningskoncentrator under termisk cykling, eftersom två kvartsceller expanderar mot ett spår. Inget av detta framgår av jämförelsetabellen. - **Tjockleksfrågan.** Källan anger två olika poly-Si-tjocklekar för samma struktur. Det är ingen motsägelse, men det innebär att optimum inte är fastställt, och tjockleken påverkar spänning, deponeringstid och takt tillsammans. - **Oberoende replikering.** Effektivitetsvinsten kommer från en enda rapporterad datamängd. En absolut vinst på 0,5 punkter är tillräckligt stor för att vara värd att eftersträva och tillräckligt stor för att vara värd att dubbelkontrollera på en annan linje och med en annan kombination av pasta och ribbon. - **Samverkan med resten av cellen.** Att lägga till ett dopat lager på spårväggen förändrar vad den väggen gör elektriskt mellan två kvartar. Hur det samverkar med bakre metalliseringsmönstret och med stringningen av kvartsceller är en systemfråga, inte en beläggningsfråga. Det finns en bredare poäng i samma riktning. Att skära en cell är en avvägning som accepterades enbart på grund av sammankopplingsvinsten. [fyrsnittsramverket](https://www.ooitech.com/four-cut-cell-technology-the-next-efficiency-code-in-the-pv-industry.html) behandlar snittet som givet, och [analysen av många snitt](https://www.ooitech.com/multi-cut-solar-modules-a-practical-analysis-of-shade-resistance.html) undersöker vad den mindre cellen gör med skuggning och modullayout. Arbete med den skurna kanten angriper kostnadssidan av den avvägningen, och om det håller förändrar det det optimala antalet snitt snarare än att bara förbättra det befintliga. ## Hur man läser detta mot resten av diskussionen om skärning Tre separata idéer blandas vanligtvis ihop när fyrsnittsceller kommer på tal, och att hålla dem åtskilda gör litteraturen lättare att läsa. Den första är sammankopplingsvinsten: kvartsceller bär en fjärdedel av strömmen, så resistiva förluster i ribbon minskar kraftigt. Det är avgjort och det är därför tekniken är i produktion. Den andra är konsekvensen på modulnivå, där mindre celler förändrar skuggtålighet, krav på kopplingsdosa och laminatets mekaniska beteende; [kopplingsdosan i två delar](https://www.ooitech.com/why-topcon-four-cut-modules-need-two-part-junction-boxes-a-look-at-pv-junction-box-evolution.html) är ett synligt resultat. Den tredje är själva snittytan, som är ämnet här och som de två första diskussionerna tenderar att hoppa över. Den praktiska länken mellan dem är processflödet. Spårning görs med ett [laserskärningssteg](https://www.ooitech.com/SC-20P-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-BC-Cell-Processing-Equipment.html), beläggningssteget hamnar i LPCVD-kapacitet som linjen redan äger, och de avslutande stegen är [metallisering](https://www.ooitech.com/pv-cell-metallization-can-the-silver-blocking-playbook-be-used-to-stop-copper.html) och stringning. En linje som utvärderar denna väg utvärderar egentligen om insättningen passar mellan två verktyg den redan har, och den publicerade taktsiffran är cirka 3%. ## FAQ ### Tar beläggningen bort behovet av skärning? Nej. Kvartarna skärs fortfarande och spåret finns fortfarande kvar. Det som förändras är det elektriska beteendet hos väggen som spåret blottade, inte geometrin. ### Varför inte helt enkelt skära med en skonsammare process? Ett renare snitt minskar skadan men lämnar fortfarande en opassiverad yta. Rekombinationen kommer från den saknade passiveringen lika mycket som från råheten, vilket är anledningen till att svaret här är en beläggning snarare än ett bättre laserrecept. ### Är ett 1 nm oxidlager tillförlitligt? Tunneloxider av den storleksordningen används redan i TOPCon-produktion, så konceptet är bevisat på waferns yta. Huruvida samma tjocklek överlever på en spårvägg, som har en annan ytorientering och en grövre utgångspunkt, är en av de öppna frågorna. ### Gäller detta endast TOPCon? Kombinationen av tunneloxid och dopad poly-Si är en TOPCon-struktur, så vägen är naturligt inriktad på linjer som redan kör den. Andra celltyper som skärs i bitar skulle behöva ett passiveringsstack som är kompatibelt med deras egen process, vilket är ett annat ingenjörsproblem. ### Vad skulle vi kontrollera först i ett försök? Kantens SRV-proxy och spänningen, före allt annat. Deponeringsuniformitet längs ett 30 µm brett spår, lagrets kristallinitet och taktkostnaden för de insatta stegen kommer därefter, och kvartscellens mekaniska beteende efter spårningen är den post som mest sannolikt glöms bort. ### Förändrar beläggningen vad stringern måste göra? Inte direkt. Beläggningen är elektrisk, så placeringsnoggrannhet, lödningstemperatur och hanteringskraft är oförändrade. Kvartscellen själv, med ett spår genom sig, förblir det svårare objektet att hantera, och det är en separat begränsning från den som detta arbete behandlar. ## Slutliga tankar Att skära kisel för att göra celler bättre är en något märklig avvägning, och den fungerar eftersom sammankopplingsvinsten är stor. Detta arbete sluter kretsen kring den del av avvägningen som aldrig prissattes: ytan som snittet skapar. Att belägga spårväggen med samma selektiva kontaktstack som cellen använder på andra ställen är ett sammanhängande svar, och det faktum att det kan göras med befintlig LPCVD-kapacitet och två lågtemperatursteg är anledningen till att det är värt att följa. Den vanliga varningen gäller. Mekanismen är sund och följer av etablerad fysik; den rapporterade effektivitetsvinsten på en halv punkt kommer från en enda källa och har inte bekräftats oberoende, och särskilt bifacialitetssiffran är svagare än resten av tabellen. För en linje är den rimliga hållningen att följa det som en processinsättning med en verklig men overifierad vinst, och att testa det med den mätning som mekanismen förutsäger, vilket är spänning. **Relaterad läsning:** [TOPCon-fyrsnittsceller: vad snittet förändrar](https://www.ooitech.com/topcon-four-cut-cells-how-cutting-a-cell-into-four-increases-power-output.html) · [Teknik för fyrsnittsceller: effektivitetsargumentet](https://www.ooitech.com/four-cut-cell-technology-the-next-efficiency-code-in-the-pv-industry.html) · [Moduler med många snitt och skuggtålighet](https://www.ooitech.com/multi-cut-solar-modules-a-practical-analysis-of-shade-resistance.html) · [Varför moduler med fyra snitt behöver kopplingsdosor i två delar](https://www.ooitech.com/why-topcon-four-cut-modules-need-two-part-junction-boxes-a-look-at-pv-junction-box-evolution.html) · [THBC-celler och passiverande kontakter](https://www.ooitech.com/thbc-solar-cell-technology-how-hybrid-passivated-back-contact-breaks-the-28-efficiency-barrier.html) · [Metallisering av PV-celler och kopparfrågan](https://www.ooitech.com/pv-cell-metallization-can-the-silver-blocking-playbook-be-used-to-stop-copper.html) · [Tabber- och stringermaskiner: hur de fungerar](https://www.ooitech.com/tabber-and-stringer-machine-how-it-works-how-to-choose.html) · [Utrustning för laserskärning av celler](https://www.ooitech.com/SC-20P-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-BC-Cell-Processing-Equipment.html) · [BC-cellens färdplan: från struktur till process](https://www.ooitech.com/bc-cell-technology-roadmap-structure-to-process.html) · [Stationer och layout för solpanelinjer](https://www.ooitech.com/solar-panel-manufacturing-machine-stations-and-line-layout.html) Dataanmärkning: lagertjocklekar, processbetingelser och före-och-efter-jämförelsen är de värden som publicerats med denna väg och återges som rapporterade; de har inte verifierats oberoende. Siffran för väggarean på cirka 1 mm2 är vår egen uppskattning från ett 30 µm spår, ett djup på 1,5 µm och två snitt över hela längden på en 182 mm cell, mot en waferyta på 33 124 mm2. Förlusternas rangordning, spänning före ström, följer av mekanismen snarare än av en tryckt siffra. --- ##### Taggar: ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Begär en offert Alla uppladdningar är säkra och konfidentiella. ## Vi levererar expertis du kan lita på vår tjänst Utrustning direkt från fabriken. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Kostnadseffektiva fördelar Vi levererar exceptionellt värde, maximerar resultat samtidigt som vi optimerar budgetar för kunder. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Vårt erfarna team Våra skickliga yrkesverksamma specialiserar sig på innovativa lösningar och skräddarsydda strategier. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### 15+ års branscherfarenhet Djup expertis säkerställer pålitliga, trendmedvetna och beprövade resultat för framgång. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Vad vår kund säger om oss Kundomdömen berömmer vår djupa förståelse för deras utmaningar, vilket leder till innovativa lösningar och stark avkastning på investeringen. Långsiktiga samarbeten – vissa över ett decennium – visar deras förtroende och tillfredsställelse. Deras framgångshistorier driver oss att ständigt överträffa förväntningarna. [Läs mer **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) En man med en stor själ. Tack så mycket för ditt besök, herr Wu. Tack så mycket för tjänsterna som tillhandahållits vid installation av utrustning och utbildning av mina studenter. Den vänligaste personen och professionell inom sitt område ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Jizzakh Polytechnic Institute ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Tack vare Ooitech för att de tillhandahåller den helautomatiska produktionsutrustningen – er installation och eftermarknadsservice har varit utmärkt. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Tack för ooitechs professionella support och service i tid efteråt. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra från Afrika ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Tack igen så mycket för den mycket stora hjälpen med att förbättra och fixa fabriken och även lära arbetarna hur man använder maskinerna ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Filippinerna ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Tack till Ooitech för att de tillhandahåller mycket lämplig BC-solcellsexperimentutrustning. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ## Våra senaste produkter ![PV-skenband integrerad ritning rullning förtenning](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051194879300.webp) - [** ooitech](./pv-busbar-ribbon-integrated-drawing-rolling-tinning-production-line.html) - [** 715](./pv-busbar-ribbon-integrated-drawing-rolling-tinning-production-line.html) ### PV-skenband integrerad ritning rullning förtenning Professionell integrerad produktionslinje för PV-skenband som kombinerar tråddragning, valsning, plattdragning, glödgning och tennbeläggningsprocesser för hög ![GIV Solsimulator: A+ klass, <1 % instabilitet](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774508988152657.webp) - [** Rachael](./gsolar-solar-panel-tester-sun-simulator-giv-20a2616-a-a-a-class-solar-module-iv-tester.html) - [** 13753](./gsolar-solar-panel-tester-sun-simulator-giv-20a2616-a-a-a-class-solar-module-iv-tester.html) ### GIV Solsimulator: A+ klass, Gsolar GIV-20A2616 solpanelstestare och solsimulator i klass A+A+A+ med testområde 2600mm x 1600mm, lång pulslängd 10ms-100ms ![KS-01C Kopplingsdosa Svetsmaskin: 16s Cykel](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92494](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### KS-01C Kopplingsdosa Svetsmaskin: 16s Cykel Ooitech KS-01C kopplingsdosvetsmaskin har automatisk hot bar tennsvetsning och högfrekvenssvetsning med CCD-positioneringsnoggrannhet på ±0.1mm. ![Lågjärnhärdat solglas: 93,5 % med AR-beläggning](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774514074283403.webp) - [** ooitech](./Solar-Glass-Ultra-Clear-Low-Iron-Tempered-Glass-for-Photovoltaic-Modules.html) - [** 47584](./Solar-Glass-Ultra-Clear-Low-Iron-Tempered-Glass-for-Photovoltaic-Modules.html) ### Lågjärnhärdat solglas: 93,5 % med AR-beläggning Härdat solglas för PV-moduler: ultrakristallklart lågjärnglas med antireflekterande beläggning, uppnår 91,5 %+ ljustransmittans i storlekarna G1/M6/M10/M12. ![CHT9951A Hipot isoleringstestare: 0,1-10kV DC](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774601338282260.webp) - [** Rachael](./cht9951a-cht9951b-solar-panel-hipot-insulation-resistance-tester-pv-module-safety-testing-equipment.html) - [** 58850](./cht9951a-cht9951b-solar-panel-hipot-insulation-resistance-tester-pv-module-safety-testing-equipment.html) ### CHT9951A Hipot isoleringstestare: 0,1-10kV DC CHT9951A/CHT9951B hipot- och isolationsresistansmätare för testning av solcellsmoduler. DC-utgång upp till 10kV, isolationsresistans upp till 99GΩ ![Solceller för PV-moduler](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774581692247238.webp) - [** Rachael](./Professional-Solar-Cell-Solutions-for-Modern-PV-Panel-Manufacturing-Ooitech.html) - [** 71335](./Professional-Solar-Cell-Solutions-for-Modern-PV-Panel-Manufacturing-Ooitech.html) ### Solceller för PV-moduler Utrustning för solcellsbearbetning för PERC-, TOPCon-, HJT- & BC-celler – skärning, stringning, testning. Stöder G1/M6/M10/M12-storlekar.